半導(dǎo)體晶圓熱處理設(shè)備 — Huace-800G 真空晶圓退火爐

在半導(dǎo)體與晶圓工藝升級(jí)進(jìn)程中，退火工序是平復(fù)晶格瑕疵、釋放薄膜應(yīng)力、優(yōu)化器件電學(xué)性能與良率的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。華測(cè)儀器針對(duì)晶圓熱處理需求，推出Huace-800G 真空晶圓退火爐，適用于高潔凈、高準(zhǔn)度的半導(dǎo)體晶圓高溫?zé)崽幚韴?chǎng)景打造。

該設(shè)備在高真空環(huán)境下對(duì)半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行準(zhǔn)確高溫?zé)崽幚?，隔絕氧化、污染與雜質(zhì)附著，為工藝進(jìn)程提供潔凈的工藝環(huán)境。整機(jī)采用紅外反射式加熱技術(shù)，熱效率高、熱響應(yīng)快，溫度覆蓋RT~1250℃，升溫速率上限可達(dá)100℃/s，可滿足多元工藝需求。

設(shè)備搭載真空系統(tǒng)，可實(shí)現(xiàn)10^-3Pa~10^-6Pa真空度，全程隔絕空氣與有害雜質(zhì)，減少晶圓表面污染與瑕疵。設(shè)備采用PID溫度控制，同時(shí)采用移相觸發(fā)技術(shù)確保試驗(yàn)溫度，控溫精度達(dá) ±1℃，實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)溫度均勻性，確保整片晶圓受熱一致、工藝重復(fù)性優(yōu)異。

在適配性方面，設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)兼容6英寸晶圓，同時(shí)支持150×150mm樣品，兼顧科研實(shí)驗(yàn)與小批量量產(chǎn)需求。

憑借高性能真空、升降溫、高溫控精度與良好兼容性，Huace-800G 普遍應(yīng)用于硅晶圓、半導(dǎo)體、電子材料、陶瓷材料等領(lǐng)域，可支撐離子注入退火、金屬硅化物形成、應(yīng)力消除等工藝，是半導(dǎo)體器件研發(fā)、功率器件制造等材料的熱處理裝備。